LDO 是一種線性穩(wěn)壓器，使用在其飽和區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或場效應(yīng)管（FET），從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓，產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓。所謂壓降電壓，是指穩(wěn)壓器將輸出電壓維持在其額定值上下 100mV 之內(nèi)所需的輸入電壓與輸出電壓差額的*小值。正輸出電壓的LDO（低壓降）穩(wěn)壓器通常使用功率晶體管（也稱為傳遞設(shè)備）作為 PNP。這種晶體管允許飽和，所以穩(wěn)壓器可以有一個非常低的壓降電壓，通常為 200mV 左右；與之相比，使用 NPN 復(fù)合電源晶體管的傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器的壓降為 2V 左右。負(fù)輸出 LDO 使用 NPN 作為它的傳遞設(shè)備，其運(yùn)行模式與正輸出 LDO 的 PNP設(shè)備類似。

更新的發(fā)展使用 MOS 功率晶體管，它能夠提供*低的壓降電壓。使用 功率MOS，通過穩(wěn)壓器的**電壓壓降是電源設(shè)備負(fù)載電流的 ON 電阻造成的。如果負(fù)載較小，這種方式產(chǎn)生的壓降只有幾十毫伏。

DC-DC的意思是直流變（到）直流（不同直流電源值的轉(zhuǎn)換），只要符合這個定義都可以叫DC-DC轉(zhuǎn)換器，包括LDO。但是一般的說法是把直流變（到）直流由開關(guān)方式實(shí)現(xiàn)的器件叫DC-DC。

LDO是低壓降的意思，這有一段說明：低壓降（LDO）線性穩(wěn)壓器的成本低，噪音低，靜態(tài)電流小，這些是它的突出優(yōu)點(diǎn)。它需要的外接元件也很少，通常只需要一兩個旁路電容。新的LDO線性穩(wěn)壓器可達(dá)到以下指標(biāo)：輸出噪聲30μV，PSRR為60dB，靜態(tài)電流6μA（TI的TPS78001達(dá)到Iq=0.5uA），電壓降只有100mV(TI量產(chǎn)了號稱0.1mV的LDO)。 LDO線性穩(wěn)壓器的性能之所以能夠達(dá)到這個水平，主要原因在于其中的調(diào)整管是用P溝道MOSFET，而普通的線性穩(wěn)壓器是使用PNP晶體管。P溝道MOSFET是電壓驅(qū)動的，不需要電流，所以大大降低了器件本身消耗的電流；另一方面，采用PNP晶體管的電路中，為了防止PNP晶體管進(jìn)入飽和狀態(tài)而降低輸出能力， 輸入和輸出之間的電壓降不可以太低；而P溝道MOSFET上的電壓降大致等于輸出電流與導(dǎo)通電阻的乘積。由于MOSFET的導(dǎo)通電阻很小，因而它上面的電壓降非常低。

如果輸入電壓和輸出電壓很接近，*好是選用LDO穩(wěn)壓器，可達(dá)到很高的效率。所以，在把鋰離子電池電壓轉(zhuǎn)換為3V輸出電壓的應(yīng)用中大多選用LDO穩(wěn)壓器。雖說電池的能量*後有百分之十是沒有使用，LDO穩(wěn)壓器仍然能夠保證電池的工作時間較長，同時噪音較低。

如果輸入電壓和輸出電壓不是很接近，就要考慮用開關(guān)型的DCDC了，因?yàn)閺纳厦娴脑砜梢灾溃琇DO的輸入電流基本上是等于輸出電流的，如果壓降太大，耗在LDO上能量太大，效率不高。

DC-DC轉(zhuǎn)換器包括升壓、降壓、升/降壓和反相等電路。DC-DC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點(diǎn)是效率高、可以輸出大電流、靜態(tài)電流小。隨著集成度的提高，許多新型DC-DC轉(zhuǎn)換器僅需要幾只外接電感器和濾波電容器。但是，這類電源控制器的輸出脈動和開關(guān)噪音較大、成本相對較高。

近幾年來，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，表面貼裝的電感器、電容器、以及高集成度的電源控制芯片的成本不斷降低，體積越來越小。由于出現(xiàn)了導(dǎo)通電阻很小的MOSFET可以輸出很大功率，因而不需要外部的大功率FET。例如對于3V的輸入電壓，利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的輸出。其次，對于中小功率的應(yīng)用，可以使用成本低小型封裝。另外，如果開關(guān)頻率提高到1MHz，還能夠降低成本、可以使用尺寸較小的電感器和電容器。有些新器件還增加許多新功能，如軟啟動、限流、PFM或者PWM方式選擇等。

總的來說，升壓是一定要選DCDC的，降壓，是選擇DCDC還是LDO，要在成本，效率，噪聲和性能上比較。

LDO是一種微功耗的低壓差線性穩(wěn)壓器，它通常具有極低的自有噪聲和較高的電源抑制比PSRR(Power Supply Rejection Ratio)。

LDO是新一代的集成電路穩(wěn)壓器，它與三端穩(wěn)壓器*大的不同點(diǎn)在于，LDO是一個自耗很低的微型片上系統(tǒng)（SoC）。它可用于電流主通道控制，芯片上集成了具有極低線上導(dǎo)通電阻的MOSFET，肖特基二極管、取樣電阻和分壓電阻等硬件電路，并具有過流保護(hù)、過溫保護(hù)、精密基準(zhǔn)源、差分放大器、延遲器等功能。PG是新一代LDO，具各輸出狀態(tài)自檢、延遲**供電功能，也可稱之為Power Good，即“電源好或電源穩(wěn)定”。

LDO低壓差線性穩(wěn)壓器的結(jié)構(gòu)主要包括啟動電路、恒流源偏置單元、使能電路、調(diào)整元件、基準(zhǔn)源、誤差放大器、反饋電阻網(wǎng)絡(luò)和保護(hù)電路等。基本工作原理是這樣的：系統(tǒng)加電，如果使能腳處于高電平時，電路開始啟動，恒流源電路給整個電路提供偏置，基準(zhǔn)源電壓快速建立，輸出隨著輸入不斷上升，當(dāng)輸出即將達(dá)到規(guī)定值時，由反饋網(wǎng)絡(luò)得到的輸出反饋電壓也接近于基準(zhǔn)電壓值，此時誤差放大器將輸出反饋電壓和基準(zhǔn)電壓之間的誤差小信號進(jìn)行放大，再經(jīng)調(diào)整管放大到輸出，從而形成負(fù)反饋，保證了輸出電壓穩(wěn)定在規(guī)定值上，同理如果輸入電壓變化或輸出電流變化，這個閉環(huán)回路將使輸出電壓保持不變，即：Vout=(R1+R2)/R2 ×Vref

實(shí)際的低壓差線性穩(wěn)壓器還具有如負(fù)載短路保護(hù)、過壓關(guān)斷、過熱關(guān)斷、反接保護(hù)等其它的功能。

如右圖1所示，該電路由串聯(lián)調(diào)整管VT、取樣電阻R1和R2、比較放大器A組成。

取樣電壓加在放大器A的反相輸入端，與加在同相輸入端的基準(zhǔn)電壓Uref相比較，兩者的差值經(jīng)放大器A放大后，控制串聯(lián)調(diào)整管的壓降，從而穩(wěn)定輸出電壓。當(dāng)輸出電壓Uout降低時，基準(zhǔn)電壓與取樣電壓的差值增加，比較放大器輸出的驅(qū)動電流增加，串聯(lián)調(diào)整管壓降減小，從而使輸出電壓升高。相反，若輸出電壓Uout超過所需要的設(shè)定值，比較放大器輸出的前驅(qū)動電流減小，從而使輸出電壓降低。供電過程中，輸出電壓校正連續(xù)進(jìn)行，調(diào)整時間只受比較放大器和輸出晶體管回路反應(yīng)速度的限制。

應(yīng)當(dāng)說明，實(shí)際的線性穩(wěn)壓器還應(yīng)當(dāng)具有許多其它的功能，比如負(fù)載短路保護(hù)、過壓關(guān)斷、過熱關(guān)斷、反接保護(hù)等，而且串聯(lián)調(diào)整管也可以采用MOSFET。

TOREX,SII,ROHM,RICOH,Diodes,Prisemi，Ame,TI,NS,Maxim,LTC,Intersil,Fairchild,Micrel,Natlinear,MPS,AATI，ACE,ADI,ST等；

壓差Dropout、噪音Noise、電源抑制比（PSRR）、靜態(tài)電流Iq，這是LDO的四大關(guān)鍵數(shù)據(jù)。

產(chǎn)品設(shè)計師按產(chǎn)品負(fù)載對電性能的要求結(jié)合四大要素來選擇LDO。

在手機(jī)上用的LDO要求盡可能小的噪音（紋波），在沒有RF的便攜式產(chǎn)品需求靜態(tài)電流小的LDO。

Vin >= Vdrop + Vout。

且一般需要兩個外接電容：Cin、Cout，一般采用鉭電容或MLCC。

注意：LDO是穩(wěn)壓器。

LDO的應(yīng)用非常簡單，很多LDO僅需在輸入端及輸出端各接一顆電容即可穩(wěn)定工作。在LDO的應(yīng)用中需要考慮壓差、靜態(tài)電流、PSRR等重要參數(shù)。在以電池作為電源的系統(tǒng)中，應(yīng)當(dāng)選擇壓差盡量低的LDO，這樣可以使電池更長時間為系統(tǒng)供電，比如NCP600，NCP629等等。

靜態(tài)電流Iq是Iquiescent的縮寫，指芯片自身所消耗的電流。在一些低功耗應(yīng)用中，應(yīng)當(dāng)盡量選擇Iq小的LDO。一些工程師在設(shè)計低功耗系統(tǒng)時，僅考慮MCU本身消耗的電流，而忽略電源芯片上所消耗的電流，使整個系統(tǒng)的待機(jī)功耗不能達(dá)標(biāo)，曾經(jīng)見過有的工程師在低功耗系統(tǒng)中選用78L05為MCU提供電源，查閱數(shù)據(jù)手冊可以得知78L05靜態(tài)電流為1mA，不適合低功耗應(yīng)用，應(yīng)該選擇NCP583等等。

在射頻、音頻、ADC轉(zhuǎn)換等應(yīng)用系統(tǒng)中，PSRR（電源紋波抑制比）是一個很重要的參數(shù)，其體現(xiàn)了LDO的抗噪能力，PSRR值越高LDO輸出紋波越低。下面列出了LDO的一些重要特性及應(yīng)用方向。

不同電壓輸出級別的應(yīng)用領(lǐng)域

LDO特性及應(yīng)用方向

降壓穩(wěn)壓器的高開關(guān)頻率允許使用纖巧多層外部元件，并*大限度地減少了電路板空間。當(dāng)MODE引腳設(shè)置為高，降壓穩(wěn)壓器工作在強(qiáng)制PWM模式。當(dāng)MODE引腳置低，降壓穩(wěn)壓器工作在PWM模式下，當(dāng)負(fù)載是圍繞面值。當(dāng)負(fù)載電流低于預(yù)定的閾值時，穩(wěn)壓器工作在省電模式（PSM提高輕負(fù)載效率）。